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NTLJD4150P
MOSFET ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted) (continued)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
DRAIN?SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Recovery Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = ?2.0 A
T J = 25 ° C
T J = 85 ° C
?0.85
?0.77
?1.0
V
Reverse Recovery Time
t RR
8.9
Charge Time
Discharge Time
Reverse Recovery Time
t a
t b
Q RR
V GS = 0 V, d ISD /d t = 100 A/ m s,
I S = ?2.0 A
6.2
2.9
3.0
ns
nC
5. Pulse Test: Pulse Width v 300 m s, Duty Cycle v 2%.
6. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
3
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